SI3590Dv
- 品牌：
VISHAY
- 封装：
TSOP6
- 数量：
177000
- 备注：
SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生产的双路N+P—Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。它集成了两个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有双向电流传输能力，适用于多种功率管理和开关电路设计。 ###详细参数说明 -**电压额定值(VDS):**_±20V -**N沟道电流额定值(ID):**_7A -**P沟道电流额定值(ID):**_-4.5A -**N沟道导通电阻(RDS(ON)):**_20mΩ@VGS=4.5V -**P沟道导通电阻(RDS(ON)):**_70mΩ@VGS=4.5V -**阈值电压(Vth):**_N沟道：0.71V，P沟道：-0.81V -**最大栅极—源极电压(VGS(max)):**_±20V
- 批号：
23+
- 价格：
